Process and device simulation for MOS-VLSI circuits /

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Korporativní autor: NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits Urbino, Italy
Další autoři: Antognetti, Paolo
Médium: Konferenční příspěvek Kniha
Jazyk:English
Vydáno: Boston : Hingham, MA : Nijhoff ; Distributors for the U.S. and Canada, Kluwer Boston, 1983.
Edice:NATO ASI series. Applied sciences ; no. 62
Témata:

CARM 1 Store

Informace o exemplářích z: CARM 1 Store
Signatura: A2:AL01E0 C03966
Jednotka 1 Dostupné  Požadavek