Process and device simulation for MOS-VLSI circuits /

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits Urbino, Italy
Άλλοι συγγραφείς: Antognetti, Paolo
Μορφή: Πρακτικό Συνεδρίου Βιβλίο
Γλώσσα:English
Έκδοση: Boston : Hingham, MA : Nijhoff ; Distributors for the U.S. and Canada, Kluwer Boston, 1983.
Σειρά:NATO ASI series. Applied sciences ; no. 62
Θέματα:

CARM 1 Store

Λεπτομέρειες τεκμηρίων από CARM 1 Store
Ταξιθετικός Αριθμός: A2:AL01E0 C03966
Αντίγραφο 1 Στη βιβλιοθήκη  Κάντε κράτηση