Fundamentals of silicon integrated device technology /

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Další autoři: Donovan, R. P.
Médium: Kniha
Jazyk:English
Vydáno: Englewood Cliffs, N.J. : Prentice-Hall, 1967-1968.
Edice:Solid state physical electronics series.
Témata:
Obsah:
  • v. 1 Oxidation, diffusion, and epitaxy. v. 2. Bipolar and unipolar transistors.